ماسفت قدرت IRF640 N-Channel-DIP – پک اورجینال
ماسفت قدرت IRF640 N-Channel-DIP
پک اورجینال
| حداکثر ولتاژ درین-سورس | 500 V |
|---|---|
| حداکثر جریان درین | 20 A |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس | 20 V |
| حداکثر توان اتلافی در Tc=25ᵒC | 280 W |
| تعداد پایه | 3 |
| پکیج | TO-247 |
| محدوده دمای کاری | -55~150 °C |
موردی برای نمایش یافت نشد!
نسخههای دیگر این کالا:
46 در انبار
۴۶,۲۰۰ تومان عدد
پرداخت اقساطی با اسنپ پی و ترب پی: در هنگام پرداخت می توانید درگاه پرداخت اسنپ پی یا ترب پی را انتخاب نمایید.
46 در انبار
درصورت پیش خرید و یا خرید عمده از تخفیف ویژه برخوردار شوید.
ماسفت قدرت IRF640 N-Channel-DIP، یک ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) از نوع N-channel است که مخصوص کاربردهای قدرت طراحی شده است.
این قطعه به واسطه ویژگیهایی مانند سوئیچ کردن سریع، مقاومت روشن پایین و توان تحمل ولتاژ و جریان بالا، گزینهای مطمئن برای بخشهای کلیدزنی در منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، مبدلهای DC-DC، کنترل موتور و مدارات تقویتکننده قدرت بهشمار میآید.
در طراحیهایی که به حذف تلفات و افزایش بازده اهمیت داده میشود، به کمک IRF640 میتوان عملکرد مطلوبی در کلیدزنی فرکانس بالا و بارهای پویایی بالا داشت.
ویژگی های فنی :
- ولتاژ : 200 ولت
- جریان : 18 آمپر
- جریان درین در دمای بالا (مثلاً TC = 100 °C) : ≈ 11 آمپر
- جریان پالس (Pulsed) درین : ≈ 72 آمپر
- مقاومت روشن (R_DS(on)) : حدود 0.15 – 0.18 اهم (با V_GS = 10 ولت)
- ولتاژ آستانه گیت (V_GS(th)) : ≈ 2 تا 4 ولت
- بار گیت کل (Q_g) : حدود 70 نانوکولن
- تحمل توان (Power Dissipation) : ≈ 125 وات
- دمای کاری : بین –55 تا +150 درجه سانتیگراد
| حداکثر ولتاژ درین-سورس | 500 V |
|---|---|
| حداکثر جریان درین | 20 A |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس | 20 V |
| حداکثر توان اتلافی در Tc=25ᵒC | 280 W |
| تعداد پایه | 3 |
| پکیج | TO-247 |
| محدوده دمای کاری | -55~150 °C |
موردی برای نمایش یافت نشد!
دیدگاه کاربران
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.